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第603章 心里有点没底（第1页）

这一眼扫过来，几个人心头一震，感觉心思都被看穿了。

“要是说场面话，就是只要努力就一定行，咱们有能力打破国外的技术垄断。”

于惊鸿也干脆摊牌，不说客套话了。

他知道汤城对半导体行业了解很深，忽悠不过去。

“可实话是，如果不出现基础理论上的重大突破，从商业角度来讲，我们几乎没有超越阿麦斯的可能性，也没法动摇外国企业的主导地位。”

话音落下，几个人明显轻松了不少。

他们也不想假装很有信心地哄骗领导，那样压力太大了。

明知做不到的事情，还非得表现得信心满满，实在太煎熬。

“汤董，我们不是有意隐瞒情况，我想用技术的角度给您做个说明。”这时，研发负责人董明亮有些紧张地开口说道。

三个人中，他的心情是最沉重的，毕竟他是负责研发的。

现在汤城了解了真相，会不会立刻砍掉研发项目？

这个可能性真的不小。

“现在的光刻机已经能做到2nm精度了，阿斯麦那边这项技术已基本成熟，听说下个月就要上市。”

“这样的精密程度，按照目前的物理学原理来看，几乎是极限了，再往上发展空间已经非常小。继续缩小尺寸的话，会出现量子隧穿效应。”

“我们现在使用的主要是硅基芯片，一个硅原子大小差不多是0。22纳米，中间留出点空隙顶多也就是0。5纳米，这是物理结构决定了的最小间距。”

“严格按摩尔定律来算的话，理论上最小工艺节点应该是在1纳米左右，小于这个数值时，就容易发生电子穿透的问题，造成芯片性能不稳定。”

“我们常说的7nm、5nm、2nm这类技术参数，准确来说，其实是指晶体管导电沟道的长度，简称沟道长度。”

“随着科技发展，芯片集成的电路越来越多，要求制程工艺不断提升以获得更高运算效率。”

“沟道越短，运算速度越快，整体性能也就更强。”

“不过当沟道不断缩小的同时，也会带来一些问题，比如材料迁移能力下降、漏电增加、功耗提升等一系列困扰。”

“正常情况下，沟道缩短后，内部绝缘层二氧化硅也会变薄。根据现代物理知识，当厚度只到零点几纳米的时候，就会引发一种‘隧道效应’。”

“在这种情形下，即便加了一层薄如蝉翼的氧化物隔膜，电子还是能够穿过这层绝缘体，跑到另一边去。”

“这样一来，晶体管原有的工作性能就会被打乱，栅极电压也很难控制电流的流动状况。”

“综上所说，依照现行的物理法则推断，硅材料芯片所能达到的极致制造尺度大约就是1纳米附近，而现在的产品已经做到了2纳米级别，几乎一步之遥。”

讲到这里，董明亮悄悄看了汤城一眼。

发现对方并没有露出丝毫厌烦或者烦躁的情绪，他心里稍松了些。